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FQD1N80TM中文资料

FQD1N80TM图片

FQD1N80TM外观图

  • 大小：1434KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
  • 产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装：2,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：QFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：800V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：20 欧姆 @ 500mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：7.2nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：195pF @ 25V
  • 功率 - 最大：2.5W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装：TO-252-3
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：FQD1N80TM-NDFQD1N80TMTR

FQD1N80TM供应商

更新时间:2023-02-05 02:43:53
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